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液體介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀

液體介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀

簡要描述:液體介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀新購的儀器 好能先用LKI-1電感組,將各個電感在各個不同頻率測試Q值,把測試的情況,例使用的電感號、測試頻率Q讀數(shù)、電容讀數(shù)等多次測得數(shù)及測試環(huán)境條件逐一詳細(xì)記錄,并把記錄保存起來,以供以后維修時作參考。

更新時間:2024-07-12

產(chǎn)品型號:GDAT-A

廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家

訪問量:887

產(chǎn)品詳情
品牌其他品牌價格區(qū)間1萬-2萬
應(yīng)用領(lǐng)域化工,農(nóng)業(yè),建材,電子,紡織皮革

液體介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀技術(shù)指標(biāo):

☆電感測量:

a.測量范圍:14.5nH~8.14H。

b.分    檔:分七個量程。

      0.1~1μH,    1~10μH,    10~100μH,  

      0.1~lmH,     1~10mH,     10~100mH,   100 mH~1H。

☆Q值測量:

a.Q值測量范圍:2~1023。              b.Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔。

c.標(biāo)稱誤差

      頻率范圍:20kHz~10MHz;       固有誤差:≤5%±滿度值的2%;工作誤差:≤7%±滿度值的2%;

      頻率范圍:10MHz~60MHz;      固有誤差:≤6%±滿度值的2%;工作誤差:≤8%±滿度值的2%。

☆振蕩頻率:

a.振蕩頻率范圍:10kHz~50MHz;

b.頻率分段(虛擬)10~99.9999kHz、100~999.999kHz、1~9.99999MHz、10~60MHz

c.頻率誤差:3×10-5±1個字。

☆儀器正常工作條件

a. 環(huán)境溫度:0℃~+40℃;            

b. 相對濕度:<80%;           

c. 電源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。   

☆其他

a.消耗功率:約25W;            

b.凈重:約7kg;          

c.外型尺寸:(l×b×h)mm:380×132×280。

☆電容測量:

a.測量范圍:1~460pF(460pF以上的電容測量見使用規(guī)則);

b.電容量調(diào)節(jié)范圍

      主調(diào)電容器:30~500pF;                準(zhǔn)  確  度:150pF以下±1.5pF;150pF以上±1%;

      注:大于直接測量范圍的電容測量見使用規(guī)則

☆ Q合格指示預(yù)置功能

預(yù)置范圍:5~1000。

☆主要配置:

a.測試主機(jī)一臺;

b.電感9只;

c.夾具一 套

介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀高分子材料的損耗

高分子聚合物電介質(zhì)按單體單元偶極矩的大小可分為極性和非極性兩類。一般地,偶極矩在0~0.5D(德拜)范圍內(nèi)的是非極性高聚物;偶極矩在0.5D以上的是極性高聚物。非極性高聚物具有較低的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗,其介電常數(shù)約為2,介質(zhì)損耗小于10-4;極性高聚物則具有較高的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗,并且極性愈大,這兩個值愈高。

高聚物的交聯(lián)通常能阻礙極性基團(tuán)的取向,因此熱固性高聚物的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗均隨交聯(lián)度的提高而下降。酚醛樹脂就是典型的例子,雖然這種高聚物的極性很強(qiáng),但只要固化比較*,它的介質(zhì)損耗就不高。相反,支化使分子鏈間作用力減弱,分子鏈活動能力增強(qiáng),介電常數(shù)和介質(zhì)損耗均增大。

高聚物的凝聚態(tài)結(jié)構(gòu)及力學(xué)狀態(tài)對介電性景響也很大。結(jié)品能抑制鏈段上偶極矩的取向極化,因此高聚物的介質(zhì)損耗隨結(jié)晶度升高而下降。當(dāng)高聚物結(jié)晶度大于70%時,鏈段上的偶極的極化有時*被抑制,介電性能可降至 低值,同樣的道理,非晶態(tài)高聚物在玻璃態(tài)下比在高彈態(tài)下具有更低的介質(zhì)損耗。此外,高聚物中的增塑利、雜質(zhì)等對介電性能也有很大景響。

A/C高頻Q表能在較高的測試頻率條件下,測量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等。該儀器廣泛地用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位。

液體介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀滿足標(biāo)準(zhǔn):

GBT1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法

 

各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復(fù)合材料等的一項重要的物理性質(zhì),通過測定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù);儀器的基本原理是采用高頻諧振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測試。它以單片計算機(jī)作為儀器的控制,測量核心采用了頻率數(shù)字鎖定,標(biāo)準(zhǔn)頻率測試點自動設(shè)定,諧振點自動搜索,Q值量程自動轉(zhuǎn)換,數(shù)值顯示等新技術(shù),改進(jìn)了調(diào)諧回路,使得調(diào)諧測試回路的殘余電感減至低,并保留了原Q表中自動穩(wěn)幅等技術(shù),使得新儀器在使用時更為方便,測量值更為*確。儀器能在較高的測試頻率條件下,測量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等。

使用方法

高頻Q表是多用途的阻抗測量儀器,為了提高測量精度,除了使Q表測試回路本身殘余參量盡可能地小,使耦合回路的頻響盡可能地好之外,還要掌握正確的測試方法和殘余參數(shù)修正方法。

1.測試注意事項

a.本儀器應(yīng)水平安放;

b.如果你需要較*確地測量,請接通電源后,預(yù)熱30分鐘;

c.調(diào)節(jié)主調(diào)電容或主調(diào)電容數(shù)碼開關(guān)時,當(dāng)接近諧振點時請緩調(diào);

d.被測件和測試電路接線柱間的接線應(yīng)盡量短,足夠粗,并應(yīng)接觸良好、可靠,以減少因接線的電阻和分布參數(shù)所帶來的測量誤差;

e.被測件不要直接擱在面板頂部,離頂部一公分以上,必要時可用低損耗的絕緣材料如聚苯乙烯等做成的襯墊物襯墊;

f.手不得靠近試件,以免人體感應(yīng)影響造成測量誤差,有屏蔽的試件,屏蔽罩應(yīng)連接在低電位端的接線柱。

2.高頻線圈的Q值測量(基本測量法)

注意事項

a.本儀器應(yīng)水平安放;

b.如果你需要較*確地測量,請接通電源后,預(yù)熱30分鐘;

c.調(diào)節(jié)主調(diào)電容或主調(diào)電容數(shù)碼開關(guān)時,當(dāng)接近諧振點時請緩調(diào);

d.被測件和測試電路接線柱間的接線應(yīng)盡量短,足夠粗,并應(yīng)接觸良好、可靠,以減少因接線的電阻和分布參數(shù)所帶來的測量誤差;

e.被測件不要直接擱在面板頂部,離頂部一公分以上,必要時可用低損耗的絕緣材料如聚苯乙烯等做成的襯墊物襯墊;

f.手不得靠近試件,以免人體感應(yīng)影響造成測量誤差,有屏蔽的試件,屏蔽罩應(yīng)連接在低電位端的接線柱。

影響介電性能的因素

 下面分別討論頻率、溫度、濕度和電氣強(qiáng)度對介電性能的影響。

1頻率

 因為只有少數(shù)材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很寬的頻率范圍內(nèi)它們的 。r和  tans幾乎是恒定的,且被用作工程電介質(zhì)材料,然而一般的電介質(zhì)材料必須在所使用的頻率下測量其介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率。

 電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的變化是由于介質(zhì)極化和電導(dǎo)而產(chǎn)生,重要的變化是極性分子引起的偶極子極化和材料的不均勻性導(dǎo)致的界面極化所引起的.

2溫度

 損耗指數(shù)在一個頻率下可以出現(xiàn)一個大值,這個頻率值與電介質(zhì)材料的溫度有關(guān)。介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率的溫度系數(shù)可以是正的或負(fù)的,這取決于在測量溫度下的介質(zhì)損耗指數(shù)大值位置。

3濕度

 極化的程度隨水分的吸收量或電介質(zhì)材料表面水膜的形成而增加,其結(jié)果使電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)和直流電導(dǎo)率增大。因此試驗前和試驗時對環(huán)境濕度進(jìn)行控制是*的.

 注:濕度的顯著影響常常發(fā)生在 1MHz以下及微波頻率范圍內(nèi)

4電場強(qiáng)度

 存在界面極化時,自由離子的數(shù)目隨電場強(qiáng)度增大而增加,其損耗指數(shù)大值的大小和位置也隨此而變。

 在較高的頻率下,只要電介質(zhì)中不出現(xiàn)局部放電,電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)與電場強(qiáng)度無關(guān)。

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