漆膜薄膜介質(zhì)耗因數(shù)測(cè)試儀

電性能檢測(cè)儀器：介電強(qiáng)度測(cè)試儀、體積表面電阻率測(cè)試儀、介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀、漏電起痕試驗(yàn)儀、耐電弧試驗(yàn)儀；

塑料橡膠性能檢測(cè)儀器：無(wú)轉(zhuǎn)子硫化儀、門(mén)尼粘度試驗(yàn)機(jī)、熱變形維卡溫度測(cè)定儀、簡(jiǎn)支梁沖擊試驗(yàn)機(jī)、毛細(xì)管流變儀、橡膠塑料滑動(dòng)摩擦試驗(yàn)機(jī)

物理性能檢測(cè)儀器：氧指數(shù)測(cè)定儀、水平垂直燃燒試驗(yàn)機(jī)、熔體流動(dòng)速率測(cè)定儀、低溫脆性測(cè)試儀

力學(xué)性能試驗(yàn)機(jī)：試驗(yàn)機(jī)

北廣其他檢測(cè)海綿儀器：海綿泡沫壓陷硬度測(cè)試儀、海綿泡沫落球回彈測(cè)試儀、海綿泡沫壓縮變形試驗(yàn)儀

另外我公司有：環(huán)境測(cè)試儀器、生物制藥測(cè)試儀器、動(dòng)物行為測(cè)試儀、環(huán)境監(jiān)測(cè)試驗(yàn)儀

漆膜薄膜介質(zhì)耗因數(shù)測(cè)試儀

在使用中，本電橋頂A，B對(duì)V點(diǎn)的電高不超過(guò)11V，R3橋臂各盤(pán)的電流不超過(guò)下列規(guī)定：

Rg平衡指零儀內(nèi)阻約1500 歐姆(Ω)

當(dāng)電橋在平衡時(shí)，A,B,S三點(diǎn)電位必然相等，從而達(dá)到自動(dòng)跟蹤的目的。

導(dǎo)線(xiàn)之間電容.此電容承受跨接測(cè)量臂兩端的電壓這樣會(huì)引人一個(gè)通常使tans的測(cè)量精度限于

在較高的頻率下，只要電介質(zhì)中不出現(xiàn)局部放電，電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)與電場(chǎng)強(qiáng)度無(wú)關(guān)

±1.5% tgδx±0.0001

主電容調(diào)節(jié)范圍：18～220pF

屏 蔽 能很 好地起到防護(hù)高壓邊影響的作用，但是增加了屏蔽與接到測(cè)量臂接線(xiàn)端 M和N的各根

同時(shí)也有效的抑制了電壓波動(dòng)對(duì)平衡所帶來(lái)的影響。在指零部分，采用了指針式電表指示，視覺(jué)直觀(guān)，分辨清楚，克服了以往振動(dòng)式檢流計(jì)的缺點(diǎn)。

介損損耗tgδ

空洞共振腔適用于CCL/印刷線(xiàn)路板，薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測(cè)。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹(shù)脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹(shù)脂大約是3, 由于樹(shù)脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會(huì)造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測(cè)量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測(cè)值偏低。低頻電橋概述

測(cè)量范圍

當(dāng) 電橋 平 衡時(shí)，復(fù)電抗Z、和ZM之間的比值等于電壓矢量U 和U:間的比值。如果電壓矢量的比

致的，這個(gè)保護(hù)對(duì)于Ch來(lái)說(shuō)是*的。

其他

0.1%數(shù)量級(jí)的誤差，當(dāng)電容cx和Cw不平衡時(shí)尤為顯著。

C4橋臂在基本量程時(shí)，與R4橋臂并聯(lián)，測(cè)量數(shù)值為正損耗因數(shù)。

它在橋頂B處取一輸入電壓，通過(guò)放大后，在內(nèi)屏蔽（S）產(chǎn)生一個(gè)與B電位相等的電壓。

介損損耗tgδ

技術(shù)參數(shù)：

電感測(cè)量范圍：4.5nH~7.9mH

Q值測(cè)量

Q值測(cè)量范圍：2～1023。

Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔。

標(biāo)稱(chēng)誤差

     頻率范圍（100kHz～10MHz）： 頻率范圍（10MHz～160MHz）：

     固有誤差：≤5％±滿(mǎn)度值的2% 固有誤差：≤6％±滿(mǎn)度值的2%

     工作誤差：≤7％±滿(mǎn)度值的2% 工作誤差：≤8％±滿(mǎn)度值的2%

Q合格指示預(yù)置功能:      預(yù)置范圍：5～1000。

信號(hào)源頻率覆蓋范圍

     頻率范圍CH1:0.1～0.999999MHz, CH2: 1～9.99999MHz,

     CH3:10～99.9999MHz, CH1 :100～160MHz,

其他

電容量Cx

電容測(cè)量：1~205

低頻電橋

這 種 電 橋的原理比西林電橋簡(jiǎn)單。其結(jié)構(gòu)原理見(jiàn)圖A.3 .

±0.5% Cx±3pF

主電容調(diào)節(jié)范圍：18～220pF

電橋在使用過(guò)程中，靈敏度直接影響電橋平穩(wěn)衡的分辨程度，為保證測(cè)量準(zhǔn) 在下面的計(jì)算公式中，用戶(hù)可根據(jù)實(shí)際情況估算出電橋靈敏度水平，在這個(gè)水平上的電容與介質(zhì)損耗因數(shù)的微小變化都能夠反應(yīng)出來(lái)。

采用典型的西林電橋線(xiàn)路。

0.1%數(shù)量級(jí)的誤差，當(dāng)電容cx和Cw不平衡時(shí)尤為顯著。

導(dǎo)線(xiàn)之間電容.此電容承受跨接測(cè)量臂兩端的電壓這樣會(huì)引人一個(gè)通常使tans的測(cè)量精度限于

準(zhǔn)確度：150pF以下±1.5pF； 150pF以上±1%

介損損耗tgδ

消耗功率：約25W；

±0.5% Cx±3pF

準(zhǔn)確度：150pF以下±1.5pF； 150pF以上±1%

測(cè)量誤差

電容測(cè)量：1~205

Cx和C}上，使電壓分配不平衡上面給出的電橋平衡條件只是當(dāng)?shù)蛪涸?duì)高壓元件屏蔽時(shí)才成

A.1. 2. 2 帶瓦格納(Wagner)接地電路的西林電橋圖 A. 2 示出了使電橋測(cè)量臂接線(xiàn)端與屏蔽電位相等的方法。這種方法是通過(guò)使用外接橋臂Z, .Z.(瓦格納接地電路)，并使這兩個(gè)橋臂的中間點(diǎn)P接到屏蔽并接地。調(diào)節(jié)橋臂(實(shí)際為Zu)以使在Z,和Z上的電壓分別與電橋的電容臂和測(cè)量臂兩端的電壓相等顯然，這個(gè)解決方法包括兩個(gè)橋即主橋AMNB和輔橋AMPB(或ANPB)同時(shí)平衡。通過(guò)檢測(cè)器從一個(gè)橋轉(zhuǎn)換到另一個(gè)橋逐次地逼衡而終達(dá)到二者平衡用這種方法精度可以提高一個(gè)數(shù)量級(jí)，這時(shí)，實(shí)際上該精度只決定于電橋元件的精密度。必 須 指 出，只有當(dāng)電源的兩端可以對(duì)地絕緣時(shí)才使用上述特殊的解決方法。如果不可能對(duì)地絕緣，則使用更復(fù)雜的裝置(雙屏蔽電橋)