介電常數(shù)電橋電容率測試儀應(yīng)用

無源元件:

電容器、電感器、磁芯、電阻器、壓電器件、變壓器、芯片組件和網(wǎng)絡(luò)元件等的阻抗參數(shù)評估和性能分析

半導(dǎo)體元件:

LED驅(qū)動集成電路寄生參數(shù)測試分析；變?nèi)荻O管的C-VDC特性;晶體管或集成電路的寄生參數(shù)分析

其它元件:

印制電路板、繼電器、開關(guān)、電纜、電池等的阻抗評估

介質(zhì)材料:

塑料、陶瓷和其它材料的介電常數(shù)和損耗角評估

磁性材料:

鐵氧體、非晶體和其它磁性材料的導(dǎo)磁率和損耗角評估

半導(dǎo)體材料:

半導(dǎo)體材料的介電常數(shù)、導(dǎo)電率和C-V特性液晶材料：液晶單元的介電常數(shù)

技術(shù)指標(biāo)

1測量范圍及誤差

本電橋的環(huán)境溫度為20±5℃，相對濕度為30%-80%條件下，應(yīng)滿足下列表中的技術(shù)指示要求。

在Cn=100 pF      R4=3183.2（Ω）時

在Cn=100 pF    R4=318.3（Ω）時

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2電橋測量靈敏度

    電橋在使用過程中，靈敏度直接影響電橋平穩(wěn)衡的分辨程度，為保證測量準(zhǔn)

確度，希望電橋靈敏度達(dá)到一定的水平。通常情況下電橋靈敏度與測量電壓，標(biāo)準(zhǔn)電容量成正比。

    在下面的計算公式中，用戶可根據(jù)實際情況估算出電橋靈敏度水平，在這個水平上的電容與介質(zhì)損耗因數(shù)的微小變化都能夠反應(yīng)出來。

     ΔC/C或Δtgδ=Ig/UωCn(1+Rg/R4+Cn/Cx)

式中: U 為測量電壓                              伏特  (V)

      ω為角頻率2πf=314(50Hz)                               

     Cn標(biāo)準(zhǔn)電容器容量                          法拉(F) 

     Ig通用指零儀的電流5×10-10                  安培(A)  

     Rg平衡指零儀內(nèi)阻約1500                    歐姆(Ω)

     R4橋臂R4阻值3183                         歐姆(Ω)

     Cx被測試品電容值                           法拉(pF)

電橋簡介:

     BQS-37a型高壓電橋是本公司推出的新一代高壓電橋，主要用于測量工業(yè)絕緣材料的介質(zhì)損耗(tgδ)及介電常數(shù)（ε）。符合GB1409、GB5654及GB/T1693, ASTM D150-1998(2004) 固體電絕緣材料的交流損耗特性及介電常數(shù)的試驗方法其采用了西林電橋的經(jīng)典線路，內(nèi)附0-5000的數(shù)顯高壓電源及100PF標(biāo)準(zhǔn)電容器，并可按用戶要求擴(kuò)裝外接標(biāo)準(zhǔn)電容線路。

電極設(shè)計為平板型帶保護(hù)電極的三端式電容器，絕緣材料的介質(zhì)損耗角δ是由該絕緣材料作為介質(zhì)的電容器上所施加的電壓與流過該電容器的電流之間的相位差的余角。絕緣材料的介質(zhì)損耗因數(shù)是介質(zhì)損耗角δ的正切值tgδ當(dāng)絕緣材料制成片狀試樣置于電極中間施加一定的壓力后，可視作由該絕緣材料作為介質(zhì)的電容器，電容量和介質(zhì)損耗因數(shù)的測量可在高壓電容電橋上進(jìn)行。絕緣材料的相對介電常數(shù)εr是電極間及其周圍的空間全部充以絕緣材料時，電容器Cx與同樣構(gòu)型的真空電容器Co之比:εr=Cx/Co

介電常數(shù)電橋電容率測試儀鍵盤鎖定功能，掉電數(shù)據(jù)保護(hù)功能,圖形掃描功能，列表掃描功能、開路、短路、負(fù)載校正功能簡體中文、英文操作語言,進(jìn)行測試數(shù)據(jù)、測試條件保存.

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