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ASTMD150介電常數(shù)測(cè)定儀裝置

ASTMD150介電常數(shù)測(cè)定儀裝置

簡(jiǎn)要描述:ASTMD150介電常數(shù)測(cè)定儀裝置損耗角(缺相角),(δ),名詞——該角度的正切值為耗散因子或反正切值K''/K'或者其余切值為相位角。

討論——相位角和損耗角的關(guān)系見(jiàn)圖1和圖2所示。損耗角有時(shí)成為缺相角。

損耗指數(shù),K''(ε''),名詞——相對(duì)復(fù)數(shù)電容率虛數(shù)部分的大?。黄涞扔谙鄬?duì)電容率和耗散因子的乘積。

更新時(shí)間:2024-07-16

產(chǎn)品型號(hào):GDAT-A

廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家

訪問(wèn)量:696

產(chǎn)品詳情
品牌北廣精儀價(jià)格區(qū)間2萬(wàn)-5萬(wàn)
產(chǎn)地類別國(guó)產(chǎn)應(yīng)用領(lǐng)域化工,生物產(chǎn)業(yè),能源,電氣,綜合

ASTMD150介電常數(shù)測(cè)定儀裝置相對(duì)電容率(相對(duì)介電常數(shù))(SIC)K'(εr),名詞——相對(duì)復(fù)數(shù)電容率的實(shí)數(shù)部分。它也是采用某一材料作為電介質(zhì)的某一給定形狀電極等效并聯(lián)電容Cp與采用真空(或空氣,適用于多數(shù)實(shí)際用途)作為電介質(zhì)的相同形狀電極電容Cv之間的比值。

K'=Cp/Cv           (10)

討論——a——在普遍的用法,“相對(duì)"一詞經(jīng)常是指下降值。

討論——b——從經(jīng)驗(yàn)來(lái)看,真空在各處必須采用材料來(lái)替代,因?yàn)槠淠茱@著改變電容。電介質(zhì)等效電路假設(shè)包含一個(gè)電容Cp,該電容與電導(dǎo)并聯(lián)。

討論——c——Cx視為圖3所示的等效并聯(lián)電容Cp。

討論——d——當(dāng)耗散因子為0.1時(shí),串聯(lián)電容大于并聯(lián)電容,但是兩者差值小于1%,而當(dāng)耗散因子為0.03時(shí),兩者差值小于0.1%。如果測(cè)量電路獲得串聯(lián)部分的結(jié)果,在計(jì)算修正值和電容率之前,并聯(lián)電容必須由公式5計(jì)算得出。

討論——e——干燥空氣在23℃和101.3kPa標(biāo)準(zhǔn)壓力下的電容率為1.000536(1)。6其從整體的背離值K'-1與溫度成反比,同時(shí)直接與大氣壓力成正比。當(dāng)空間在23℃下達(dá)到水蒸氣飽和時(shí),電容率增加至為0.00025(2,3),同時(shí)隨著溫度(單位為℃)從10到27℃近似發(fā)生線性變化。對(duì)于局部飽和,增加值與相對(duì)濕度成正比。

介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀4.試驗(yàn)方法摘要

電容和交流電阻測(cè)量在一個(gè)樣本上進(jìn)行。相對(duì)電容率等于樣本電容除以(具有相同電極形狀)真空電容計(jì)算值,同時(shí)很大程度上取決于誤差源分辨率。耗散因子通常與樣本幾何形狀無(wú)關(guān),同時(shí)也可以依據(jù)測(cè)量值計(jì)算得出。

ASTMD150介電常數(shù)測(cè)定儀裝置

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