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覆銅板介電常數(shù)損耗測試儀

覆銅板介電常數(shù)損耗測試儀

簡要描述:覆銅板介電常數(shù)損耗測試儀1.平板電容器:

極片尺寸:Φ50mm/Φ38mm可選

極片間距可調(diào)范圍:≥15mm

2. 夾具插頭間距:25mm±0.01mm

3. 夾具損耗正切值:≤4×10-4 (1MHz)

4.測微桿分辨率:0.001mm

更新時間:2024-07-16

產(chǎn)品型號:GDAT-A

廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家

訪問量:817

產(chǎn)品詳情
品牌北廣精儀價格區(qū)間1萬-2萬
產(chǎn)地類別國產(chǎn)應(yīng)用領(lǐng)域化工,生物產(chǎn)業(yè),能源,電氣,綜合

覆銅板介電常數(shù)損耗測試儀在相同添加量情況下,lOOnm制備的復(fù)合材料的介電常數(shù)明顯高于添加其他顆粒大小的復(fù)合材料。這表明添加近lOOnmBT的復(fù)合材料的界面極化能力介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復(fù)合材料等的一項重要的物理性質(zhì),通過測定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù)。隨著頻率的升高,復(fù)合材料的介電損耗都是先降低在急劇升高。復(fù)合材料的介電損耗大致有兩種,一種為極化損耗,一種為電導(dǎo)損耗。在低頻條件下,大多發(fā)生電導(dǎo)損耗。通常情況下在頻率100kHz以下時,由于復(fù)合材料的介電常數(shù)較高且隨著頻率的升高而降低,因此其電導(dǎo)損耗也較高且隨著頻率的升高而降低。而隨著頻率高過100kHz時,復(fù)合材料材料的電導(dǎo)損耗降低,其主要為極化損耗,由于電介質(zhì)的分子為極性分子,在高頻情況下分子得到轉(zhuǎn)向和位移極化都會需要一定的時間,而這個極化時間就導(dǎo)致電介質(zhì)的極化與外加電場有一個相位差,而因為這個相位差就導(dǎo)致了極化損耗^_681。隨著BT含量的增加,在低頻的情況下越高濃度復(fù)合材料介電損耗會越高。但隨著頻率的增高,在低頻具有高介電損耗的復(fù)合材料,在高頻的情況下其介電損耗會比低濃度復(fù)合材料介電損耗低。這主要是因為在低頻情況下,添加BT顆粒會增加其本身的介電常數(shù)因為增加了電導(dǎo)損耗,但隨著頻率的增高,在低頻具有高介電損耗的復(fù)合材料薄膜,在高頻的情況下,其介電損耗會比在低頻具有低介電損耗的復(fù)合材料薄膜的低,也就是倒置現(xiàn)象。這主要是因為BT是非極性的納米顆粒,隨著BT含量的增加導(dǎo)致了極化的降低。純的PVDF介電損耗為0.058。在40wt%添加量時,50nm制備的復(fù)合材料介電損耗為0.17為純的PVDF的3倍。

儀器的基本原理是采用高頻諧振法,并提供了通用、多用途、多量程的阻抗測試。它以單片計算機(jī)控制儀器,測量核心采用了頻率數(shù)字鎖定、標(biāo)準(zhǔn)頻率測試點自動設(shè)定、諧振點自動搜索、Q值量程自動轉(zhuǎn)換、數(shù)值顯示等新技術(shù),改進(jìn)了調(diào)諧回路,使得調(diào)諧測試回路的殘余電感減至*,并保留了原Q表中自動穩(wěn)幅等技術(shù),使得新儀器在使用時更為方便,測量時更為精確。儀器能在較高的測試頻率條件下,測量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等。

覆銅板介電常數(shù)損耗測試儀復(fù)合材料介電常數(shù)隨頻率變化關(guān)系圖,范圍為100Hz至1MHz。純PVDF在100Hz時的介電常數(shù)為7.89。11可知,從100HZ直到1MHz時,復(fù)合材料的介電常數(shù)都會略有下降,這種趨勢在100kHz以上時更為明顯[651。當(dāng)40wt%添加量時,100nm制備的復(fù)合材料介電常數(shù)最大,100Hz時,介電常數(shù)為20.3是原始PVDF膜的2.57倍。引起介電常數(shù)提高的原因可以歸因于引入高介電常數(shù)填料。


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