—— PROUCTS LIST
—— NEWS
薄膜介電常數(shù)介質(zhì)損耗檢測(cè)儀
簡(jiǎn)要描述:薄膜介電常數(shù)介質(zhì)損耗檢測(cè)儀園筒電容器電容量線性:0.33pF / mm±0.05 pF長(zhǎng)度可調(diào)范圍和分辨率:≥0~20mm,±0.01mm夾具插頭間距:25mm±1mm
更新時(shí)間:2024-07-16
產(chǎn)品型號(hào):GDAT-A
廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
訪問(wèn)量:754
品牌 | 北廣精儀 | 價(jià)格區(qū)間 | 2萬(wàn)-5萬(wàn) |
---|---|---|---|
產(chǎn)地類(lèi)別 | 國(guó)產(chǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,生物產(chǎn)業(yè),能源,電氣,綜合 |
薄膜介電常數(shù)介質(zhì)損耗檢測(cè)儀
序號(hào) | 設(shè)備名稱(chēng) | 設(shè)備型號(hào) | 測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) | 測(cè)試指標(biāo) | 備注 |
1 | 電壓擊穿試驗(yàn)儀 | BDJC10KV-150KV | GB1408、GB/T1695、GB/T3333、GB12656、ASTM D149 | 介電強(qiáng)度、泄漏電流 | 介電強(qiáng)度、泄漏電流 |
2 | 體積表面電阻測(cè)定儀 | BEST-380 | GB1410、ASTM D257、GB/T 1692、GB/T 2439 、GB/T 10581、GB/T 10064 | 體積電阻率、表面電阻率 | 液晶顯示 |
3 | 體積表面電阻率測(cè)定儀 | BEST-380 | GB1410、ASTM D257、GB/T 1692、GB/T 2439 、GB/T 10581、GB/T 10064 | 體積電阻率、表面電阻率 | 液晶觸摸、電阻、電阻率直接測(cè)試 |
4 | 導(dǎo)體電阻率測(cè)定儀 | BEST -19 | GB11210、GB/T15662、GB2439、ASTM D991 | 導(dǎo)體電阻率 | 觸摸屏 |
6 | 半導(dǎo)體電阻率測(cè)定儀 | BEST-300C | GB/T 1551 | 半導(dǎo)體電阻率 | 觸摸屏 |
7 | 高頻介電常數(shù)測(cè)試儀 | GDAT--A | GB1408 | 介電常數(shù)、介質(zhì)損耗 | 測(cè)試頻率50HZ-160MHZ |
8 | 工頻介電常數(shù)測(cè)試儀 | BQS-37A | GB1408 | 介電常數(shù)、介質(zhì)損耗 | 測(cè)試頻率50HZ |
9 | 耐電弧試驗(yàn)儀 | BDH-20KV | GB1411-2002 IEC 61621 ASTMD495 | 耐電弧 | 微機(jī)控制、觸摸屏控制 |
10 | 高壓漏電起痕試驗(yàn)儀 | BLD-6000V | 高壓等級(jí)測(cè)試 | 五組高壓6KV | |
11 | 耐電痕化指數(shù)測(cè)定儀 | BLD-600V | IEC60112、ASTM D 3638-92、DIN53480 | 漏電痕跡、電痕化CTI\PTI | 最高電壓600V |
12 | 滑動(dòng)摩擦磨損試驗(yàn)儀 | M-200 | GB3960 | 滑動(dòng)摩擦,摩損性能測(cè)試 | 摩擦力、摩擦系數(shù)曲線顯示 |
薄膜介電常數(shù)介質(zhì)損耗檢測(cè)儀概述:
陶瓷材料介電常數(shù)測(cè)試儀 是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì),通過(guò)測(cè)定介質(zhì)損耗角正切 tanδ 及介電常數(shù)(ε ),可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù);該儀器用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位對(duì)無(wú)機(jī)非金屬新材料性能的應(yīng)用研究。
測(cè)試原理:
采用高頻諧振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制,測(cè)量核心采用了頻率數(shù)字鎖定,標(biāo)準(zhǔn)頻率測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定,諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索,Q 值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換,數(shù)值顯示等新技術(shù),改進(jìn)了調(diào)諧回路,使得調(diào)諧測(cè)試回路的殘余電感減至,并保留了原Q 表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù),使得新儀器在使用時(shí)更為方便,測(cè)量值更為精確。儀器能在較高的測(cè)試頻率條件下,測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q 值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等。
本測(cè)試裝置是由二只測(cè)微電容器組成,平板電容器一般用來(lái)夾持被測(cè)樣品,園筒電容器是一只分辨率高達(dá)0.0033pF 的線性可變電容器,配用儀器作為指示儀器,絕緣材料的損耗角正切值是通過(guò)被測(cè)樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品的Q 值變化,由園筒電容器的刻度讀值變化值而換算得到的。同時(shí),由平板電容器的刻度讀值變化而換算得到介電常數(shù)。
儀器的技術(shù)指標(biāo):
1、Q 值測(cè)量范圍:2~1023
2、Q 值量程分檔:30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔;
3、電感測(cè)量范圍:自身殘余電感和測(cè)試引線電感的自動(dòng)扣除功能 4.5nH-100mH 分別有 0.1μ H、0.5μ H、
2.5μ H、10μ H、50μ H、100μ H、1mH、5mH、10mH 九個(gè)電感組成。
4、電容直接測(cè)量范圍:1~460pF
5、主電容調(diào)節(jié)范圍: 30~500pF
6、電容準(zhǔn)確度 150pF 以下±1.5pF;150pF 以上±1%
7、信號(hào)源頻率覆蓋范圍 10KHz-70MHz (雙頻對(duì)向搜索 確保頻率不被外界干擾)另有 GDAT-C 頻率范圍 100KHZ-160M
8、型號(hào)頻率指示誤差:1*10-6 ±1,Q 值合格指示預(yù)置功能范圍:5~1000 Q 值自動(dòng)鎖定,無(wú)需人工搜索
9、Q 表正常工作條件
a. 環(huán) 境 溫 度 :0℃~+40℃
b.相對(duì)濕度:<80%;
如果你對(duì)GDAT-A薄膜介電常數(shù)介質(zhì)損耗檢測(cè)儀感興趣,想了解更詳細(xì)的產(chǎn)品信息,填寫(xiě)下表直接與廠家聯(lián)系: |