1MHZ介電常數(shù)ASTMD150測(cè)試儀相位角，θ，名詞——該角度的余切值為耗散因子，反余切值K''/K'，同時(shí)也是施加到某一電介質(zhì)的正弦交流電壓與其形成的具有相同頻率的電流分量之間的相位角度差值。

1MHZ介電常數(shù)ASTMD150測(cè)試儀相對(duì)電容率（相對(duì)介電常數(shù)）（SIC）K'（εr），名詞——相對(duì)復(fù)數(shù)電容率的實(shí)數(shù)部分。它也是采用某一材料作為電介質(zhì)的某一給定形狀電極等效并聯(lián)電容Cp與采用真空（或空氣，適用于多數(shù)實(shí)際用途）作為電介質(zhì)的相同形狀電極電容Cv之間的比值。

信號(hào)源：DDS數(shù)字合成信號(hào)

頻率范圍：100KHZ-160MHZ

Q分辨率：4位有效數(shù)，分辨率0.1

電感測(cè)量范圍：1nH～140mH,；分辨率0.1  

信號(hào)源頻率精度： 3×10-5 ±1個(gè)字,6位有效數(shù)

Q值測(cè)量范圍： 1～1023自動(dòng)/手動(dòng)量程

Q值量程分檔： 30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔

信號(hào)源頻率覆蓋比：16000:1  

采樣精度：12BIT

Q測(cè)量工作誤差：＜5%

電感測(cè)量誤差：＜3%

電容直接測(cè)量范圍：1pF～2.5uF

調(diào)諧電容誤差分辨率：±1pF或＜1%

主電容調(diào)節(jié)范圍：17～540pF

諧振點(diǎn)搜索：自動(dòng)掃描

自身殘余電感扣除功能：有

大電容值直接顯示功能：有

介質(zhì)損耗系數(shù)精度：萬(wàn)分之一

K'=Cp/Cv　

討論——e——干燥空氣在23℃和101.3kPa標(biāo)準(zhǔn)壓力下的電容率為1.000536（1）。6其從整體的背離值K'-1與溫度成反比，同時(shí)直接與大氣壓力成正比。當(dāng)空間在23℃下達(dá)到水蒸氣飽和時(shí)，電容率增加至為0.00025（2,3），同時(shí)隨著溫度（單位為℃）從10到27℃近似發(fā)生線性變化。對(duì)于局部飽和，增加值與相對(duì)濕度成正比。電容率——絕緣材料通常以兩種不同方式來(lái)使用，即（1）用于固定電學(xué)網(wǎng)絡(luò)部件，同時(shí)讓其彼此以及與地面絕緣；（2）用于起到某一電容器的電介質(zhì)作用。在靠前種應(yīng)用中，通常要求固定的電容盡可能小，同時(shí)具有可接受且一致的機(jī)械，化學(xué)和耐熱性能。因此要求電容率具有一個(gè)低值。在第二種應(yīng)用中，要求電容率具有一個(gè)高值，以使得電容器能夠在外型上能盡可能小。有時(shí)使用電容率的中間值來(lái)評(píng)估在導(dǎo)體邊緣或末端的應(yīng)力，以將交流電暈降至較小。影響電容率的因子討論見(jiàn)附錄X3。交流損耗——對(duì)于這兩種場(chǎng)合（作為電學(xué)絕緣材料和作為電容器電介質(zhì)），交流損耗通常必須是比較小的，以減小材料的加熱，同時(shí)將其對(duì)網(wǎng)絡(luò)剩余部分的影響降至較小。在高頻率應(yīng)用場(chǎng)合，特別要求損耗指數(shù)具有一個(gè)低值，因?yàn)閷?duì)于某一給定的損耗指數(shù)，電介質(zhì)損耗直接隨著頻率而增大。在某些電介質(zhì)結(jié)構(gòu)中，例如試驗(yàn)用終止襯套和電纜所用的電介質(zhì)，通常電導(dǎo)增加可獲得損耗增大，這有時(shí)引入其來(lái)控制電壓梯度。在比較具有近似相同電容率的材料時(shí)或者在材料電容率基本保持恒定的條件下使用任何材料時(shí)，這可能有助于考慮耗散因子，功率因子，相位角或損耗角。影響交流損耗的因子討論見(jiàn)附錄X3。