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介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀-低頻

介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀-低頻

簡(jiǎn)要描述:介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀-低頻微分頭分辨率:10μm

最高耐壓:±42Vp(AC+DC)

電纜長(zhǎng)度設(shè)置:1m

最高使用頻率:30MHz

更新時(shí)間:2024-07-17

產(chǎn)品型號(hào):GDAT-S

廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家

訪問(wèn)量:818

產(chǎn)品詳情
品牌北廣精儀價(jià)格區(qū)間2萬(wàn)-5萬(wàn)
產(chǎn)地類別國(guó)產(chǎn)應(yīng)用領(lǐng)域化工,生物產(chǎn)業(yè),能源,電氣,綜合

介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀-低頻由高頻阻抗分析儀、測(cè)試裝置,標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品組成,能對(duì)絕緣材料進(jìn)行 高低頻介電常數(shù)(ε)和介質(zhì)損耗角(D或tanδ) 的測(cè)試。它符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。

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介電常數(shù)測(cè)試儀工作頻率范圍是20Hz~2MHz,它能完成工作頻率內(nèi)對(duì)絕緣材料的相對(duì)介電常數(shù)(ε)和介質(zhì)損耗角 (D或tanδ)變化的測(cè)試。

介電常數(shù)測(cè)試儀中測(cè)試裝置是由平板電容器組成,平板電容器一般用來(lái)夾被測(cè)樣品,配用高頻阻抗分析儀作為指示儀器。絕緣材料的介電常數(shù)和損耗值是通過(guò)被測(cè)樣品放入平板電容器和不放樣品的D值(損耗值)變化和Cp(電容值)讀數(shù)通過(guò)公式計(jì)算得到。 

概述

GDAT-S是具有多種功能和更高測(cè)試頻率的新型阻抗分析儀,體積小,緊湊便攜,便于上架使用。本系列儀器基本精度為0.05%,測(cè)試頻率最高2MHz及10mHz的分辨率,4.3寸的LCD屏幕配合中英文操作界面,操作方便簡(jiǎn)潔。集成了變壓器測(cè)試功能、平衡測(cè)試功能,提高了測(cè)試效率。儀器提供了豐富的接口,能滿足自動(dòng)分選測(cè)試,數(shù)據(jù)傳輸和保存的各種要求。

性能特點(diǎn)

◎ 全自動(dòng)一鍵操作可自動(dòng)掃描最平穩(wěn)的量程階段

◎微電腦處理器反應(yīng)迅速可在最短時(shí)間內(nèi)計(jì)算出最佳頻段

◎ 夾具數(shù)字顯示

◎ 4.3寸TFT液晶顯示

◎ 中英文可選操作界面

◎ 最高2MHz的測(cè)試頻率,10mHz分辨率

◎ 平衡測(cè)試功能

◎ 變壓器參數(shù)測(cè)試功能

◎ 最高測(cè)試速度:13ms/次

◎ 電壓或電流的自動(dòng)電平調(diào)整(ALC)功能

◎ V、I 測(cè)試信號(hào)電平監(jiān)視功能

◎ 內(nèi)部自帶直流偏置源

◎ 可外接大電流直流偏置源

◎ 10點(diǎn)列表掃描測(cè)試功能

◎ 30Ω、50Ω、100Ω可選內(nèi)阻

◎ 內(nèi)建比較器,10檔分選和計(jì)數(shù)功能

◎ 內(nèi)部文件存儲(chǔ)和外部U盤(pán)文件保存

◎ 測(cè)量數(shù)據(jù)可直接保存到U盤(pán)

◎ RS232C、 USB 、LAN、HANDLER、GPIB、DCI接口

◎ 高頻阻抗分析儀電容值Cp分辨率0.00001pF和6位D值顯示,保證了ε和D值精度和重復(fù)性。

◎ 介電常數(shù)測(cè)量范圍可達(dá)1~105

主要技術(shù)指標(biāo): 

ε和D性能:

固體絕緣材料測(cè)試頻率20Hz~2MHz的ε和D變化的測(cè)試。

 ε和D測(cè)量范圍:ε:1~105,D:0.1~0.00005,

ε和D測(cè)量精度(10kHz):ε:±2% , D:±5%±0.0001。

測(cè)試參數(shù) :C, L, R,Z,Y,X,B, G, D, Q, θ,DCR

測(cè)試頻率 :20 Hz~2MHz,10mHz步進(jìn)

測(cè)試信號(hào)電:f≤1MHz 10mV~5V,±(10%+10mV)

平 :f>1MHz 10mV~1V,±(20%+10mV)

輸出阻抗:10Ω, 30Ω, 50Ω, 100Ω

基本準(zhǔn)確度 ;0.1%

顯示范圍 :

L 0.0001 uH ~ 9.9999kH

C :0.0001 pF ~ 9.9999F

R,X,Z,DCR :0.0001 Ω ~ 99.999 MΩ

Y, B, G 0.0001 nS ~ 99.999 S

D :0.0001 ~ 9.9999

Q :0.0001 ~ 99999

θ :-179.99°~ 179.99°

測(cè)量速度 ;快速: 200次/s(f﹥30kHz) ,100次/s(f﹥1kHz)

中速: 25次/s, 慢速: 5次/s

校準(zhǔn)功能 :開(kāi)路 / 短路點(diǎn)頻、掃頻清零,負(fù)載校準(zhǔn)

等效方式 :串聯(lián)方式, 并聯(lián)方式

量程方式:自動(dòng), 保持

顯示方式 :直讀, Δ, Δ%

觸發(fā)方式 :內(nèi)部, 手動(dòng), 外部, 總線

內(nèi)部直流偏 :電壓模式-5V ~ +5V, ±(10%+10mV), 1mV步進(jìn)

置源 :電流模式(內(nèi)阻為50Ω)-100mA ~ +100mA, ±(10%+0.2mA),20uA步進(jìn)

比較器功能:10檔分選及計(jì)數(shù)功能

顯示器;320×240點(diǎn)陣圖形LCD顯示

存儲(chǔ)器 :可保存20組儀器設(shè)定值

USB DEVICE( USBTMC and USBCDC support) USB HOST(FAT16 and FAT32 support)

接口 :LAN(LXI class C support) RS232C HANDLERGPIB(選件)

工作頻率范圍:20Hz~2MHz 數(shù)字合成,

精度:±0.02%

電容測(cè)量范圍:0.00001pF~9.99999F 六位數(shù)顯

電容測(cè)量基本誤差:±0.05%

損耗因素D值范圍:0.00001~9.99999 六位數(shù)顯

介電常數(shù)測(cè)試裝置(含保護(hù)電極): 精密介電常數(shù)測(cè)試裝置提供測(cè)試電極,能對(duì)直徑φ10~56mm,厚度<10mm的試樣精確測(cè)量。

它針對(duì)不同試樣可設(shè)置為接觸電極法,薄膜電極法和非接觸法三種,以適應(yīng)軟材料,表面不平整和薄膜試樣測(cè)試。

介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀-低頻高頻介質(zhì)樣品(選購(gòu)件): 在現(xiàn)行高頻介質(zhì)材料檢定系統(tǒng)中,檢定部門(mén)為高頻介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)x提供的測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)是高頻標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品。該樣品由人工藍(lán)寶石,石英玻璃, 氧化鋁陶瓷,聚四氟乙烯,環(huán)氧板等材料做成Φ50mm,厚1~2mm測(cè)試樣品。用戶可按需訂購(gòu),以保證測(cè)試裝置的重復(fù)性和準(zhǔn)確性。

GDAT-S圖片4(1).jpg


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