石英晶玻璃介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀Q值測(cè)量范圍：1～1023Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔；電感測(cè)量范圍：1nH～8.4H 自身殘余電感和測(cè)試引線電感的自動(dòng)扣除功能電容直接測(cè)量范圍：1pF～2.5uF主電容調(diào)節(jié)范圍：30～540pF準(zhǔn)確度 150pF以下±1pF；150pF以上±1%信號(hào)源頻率覆蓋范圍10kHz～70MHz合格指示預(yù)置功能范圍：5～1000環(huán)境溫度：0℃～+40℃；消耗功率：約25W；電源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。（數(shù)顯）介電常數(shù)εr和介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ測(cè)試裝置：數(shù)顯式微桿

平板電容器：極片尺寸： 38mm極片間距可調(diào)范圍：≥15m夾具插頭間距：25mm±0.01mm夾具損耗正切值≤4×10－4 （1MHz）測(cè)微桿分辨率：0.001mm測(cè)試極片：材料測(cè)量直徑Φ38mm厚度可調(diào) ≥ 15mm液體杯：測(cè)量極片直徑 Φ38mm； 液體杯內(nèi)徑Φ48mm 、深7mm

電感組LKI-1：分別有0.1μH、0.5μH、2.5μH、10μH、50μH、100μH、1mH、5mH、10mH九個(gè)電感組成。主機(jī)尺寸：（寬×高×深）mm：380×132×280

石英晶玻璃介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀電容，C，名詞——當(dāng)導(dǎo)體之間存在電勢(shì)差時(shí)，導(dǎo)體和電介質(zhì)系統(tǒng)允許儲(chǔ)存電分離電荷的性能。

　　討論——電容是指電流電量 q與電位差V之間的比值。電容值總是正值。當(dāng)電量采用庫倫為單位，電位采用伏特為單位時(shí)，電容單位為法拉，即：

　　C=q/V （1）

　　耗散因子（D），（損耗角正切），（tanδ），名詞——是指損耗指數(shù)（K''）與相對(duì)電容率（K'）之間的比值，它還等于其損耗角（δ）的正切值或者其相位角（θ）的余切值（見圖1和圖2）。

　　D=K''/K' (2)

　　3.2.2.1 討論——a：

　　D=tanδ=cotθ=Xp/Rp=G/ωCp=1/ωCpRp(3)

　　式中：

　　G=等效交流電導(dǎo)，

　　Xp=并聯(lián)電抗，

　　Rp=等效交流并聯(lián)電阻，

　　Cp=并聯(lián)電容，

　　ω=2πf（假設(shè)為正弦波形狀）

　　耗散因子的倒數(shù)為品質(zhì)因子Q，有時(shí)成為儲(chǔ)能因子。對(duì)于串聯(lián)和并聯(lián)模型，電容器耗散因子D都是相同的，按如下表示為：串聯(lián)模型——對(duì)于某種具有電介質(zhì)損耗（圖3）的絕緣材料，其并聯(lián)模型通常是適當(dāng)?shù)哪Ｐ?，其總是能和偶爾要求模擬在單頻率下電容Cs與電阻Rs串聯(lián)（圖4和圖2）的某個(gè)電容器。

　　D=ωRsCs=1/ωRpCp(4)

　　串聯(lián)和并聯(lián)部分之間的關(guān)系滿足以下要求：

　　Cp=Cs/(1 D2) (5)

　　Rp/Rs=(1 D2)/D2=1 (1/D2)=1 Q2(6)