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電氣薄膜用50點電極法擊穿試驗儀
簡要描述:電氣薄膜用50點電極法擊穿試驗儀設(shè)備要安裝單獨的保護地線。接保護地線,主要是減少試樣擊穿時對周圍產(chǎn)生的較強的電磁干擾。也可避免控制計算機失控。
更新時間:2024-07-18
產(chǎn)品型號:BDJC-100KV
廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
訪問量:555
品牌 | 北廣精儀 | 價格區(qū)間 | 5萬-10萬 |
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擊穿電壓 | 100KV | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 能源,電子,交通,汽車,電氣 |
電氣薄膜用50點電極法擊穿試驗儀
符合標準
GB1408.1-2016《絕緣材料電氣強度試驗方法?*部分;工頻下試驗、第2部分》
GBT13542.1-2009電氣絕緣用薄膜*部分
GB/T1695-2005《硫化橡膠工頻擊穿電壓強度和耐電壓的測定方法》
GB/T 3333-1999《電纜紙工頻擊穿電壓試驗方法》
TVS瞬間抑制防護技術(shù)
● 多級循環(huán)電壓采集技術(shù):
材料擊穿后,瞬間放電速度約為光速的1/5~1/3,國際通用的方法為壓降法進行采集擊穿電壓。即變壓器的初級電壓瞬間下降一定比率來判別材料是否擊穿。顯然記錄擊穿電壓值產(chǎn)生偏差。而采用多級循環(huán)采集技術(shù)對擊穿后的電壓采集將解決此難題。
● 低通濾波電流監(jiān)測技術(shù):
高壓壓放電過程中將產(chǎn)生高頻信號。而無論是國產(chǎn)與進口電流采集傳感器,大都為工頻電流傳感器。而采集過程中無法將高頻信號處理時,從而造成檢測不準確。無論是采用磁通門或霍爾原理所設(shè)計的傳感器存在擊穿后瞬間輸出電壓或電流信號過大,從而燒壞控制系統(tǒng)的采集部分。華測開發(fā)的低濾波電流采集傳感器將高頻雜波信號進行相應(yīng)處理。同流采集華測自主開發(fā)的保護模塊來保證采集精度與保護采集元件。
● 雙系統(tǒng)互鎖技術(shù)及隔離屏蔽技術(shù):
采用雙系統(tǒng)互鎖技術(shù)應(yīng)用于電擊穿儀器,華測生產(chǎn)的電壓擊穿儀器不僅具備過壓、過流保護系統(tǒng),它*的雙系統(tǒng)互鎖機制,當任何元器件出現(xiàn)問題或單系統(tǒng)出現(xiàn)故障時,將瞬間切斷高壓。
電氣薄膜用50點電極法擊穿試驗儀
1 范圍
GB/T 13542的本部分規(guī)定了電氣絕緣用薄膜的定義、一般要求、尺寸、檢驗規(guī)則和標志、包裝、運
輸和貯存。
本部分適用于電氣絕緣用薄膜,
2規(guī)范性引用文件
下列文件中的條款通過GB/T 13542的本部分的引用而成為本部分的條款。凡是注日期的引用文
件,其隨后所有的修改單(不包括勘誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本部分,然而,鼓勵根據(jù)本部分達成
協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本適用于本
部分。
GB/T 13542.2-2009電氣絕緣用薄膜第2部分:試驗方法(IEC60674-2:1988,MOD)
3術(shù)語和定義
下列術(shù)語和定義適用于本部分。
3.1
卷繞性windability
薄膜的卷繞性用于評定成卷薄膜的變形情況,可由偏移/弧形和凹陷兩方面衡量。
3.1.1
偏移/弧形bias-camber
當薄膜平整地打開時,其邊緣不呈直線(偏移或弧形)、
3.1.2
凹陷
sag
當一段薄膜由兩個呈水平位置的平行輥支撐并承受一定張力的情況下,其中有部分薄膜會低于總
的水平面。
接頭耐熱性或耐溶劑性等特殊要求應(yīng)由供需雙方協(xié)商。
4.4管芯
薄膜應(yīng)卷在圓形管芯上,管芯在卷繞拉伸下應(yīng)不掉屑、坍塌或歪扭,也不應(yīng)損壞薄膜或使其性能降
低。管芯的所有性能和尺寸及其偏差由供需雙方協(xié)商,管芯的優(yōu)選內(nèi)徑為76 mm和152 mm,管芯可以
伸出膜卷的端部,或者與端部平齊。
5尺寸
5.1厚度
按GB/T 13542.2-2009第4章所述的方法測定厚度,除非在產(chǎn)品標準中另有規(guī)定,且測得的厚度
應(yīng)在標稱值±10%范圍內(nèi)。
5.2寬度
寬度應(yīng)在產(chǎn)品標準中規(guī)定,按GB/T 13542.22009第6章規(guī)定的方法測定的寬度,除非產(chǎn)品標
準另有規(guī)定,其允許偏差應(yīng)符合表1的規(guī)定。
表1薄膜寬度
單位為毫米
寬度
偏差
≤50
±0.5
>50~300
±1.0
>300~450
±2.0
>450
±4.0
5.3長度
對長度的要求由產(chǎn)品標準規(guī)定。
6檢驗規(guī)則
6.1薄膜應(yīng)進行出廠檢驗和型式檢驗。
6.2型式檢驗項目為產(chǎn)品標準中技術(shù)要求規(guī)定的全部項目,每三個月至少進行一次。當原材料變更
或工藝條件改變時,也應(yīng)進行型式檢驗。
6.3產(chǎn)品批量、抽樣方法和出廠檢驗項目在產(chǎn)品標準中規(guī)定,每批薄膜應(yīng)進行出廠檢驗,產(chǎn)品經(jīng)檢驗
合格才能出廠。制造廠應(yīng)保證出廠產(chǎn)品符合產(chǎn)品標準中全部技術(shù)要求。
6.4當試驗結(jié)果中任何一項不符合技術(shù)要求時,應(yīng)在該批薄膜另外二卷中各取一組試樣重復(fù)該項試
驗,如仍有一組不符合要求時,該批薄膜為不合格品。
6.5使用單位可按產(chǎn)品標準的全部或部分項目進行驗收檢驗。預(yù)處理條件按GB/T13542.2-2009
中3.2要求進行。
6.6使用單位有要求時,制造廠應(yīng)提供產(chǎn)品檢驗報告。
7標志、包裝、運輸和貯存
7.1薄膜卷要用防潮紙或塑料薄膜包裹,外層套裝塑料袋,并架空支撐放置于包裝箱中,使薄膜在通常
的貯存和運輸條件下得到充分保護而不受損壞和變質(zhì)。
7.2每箱薄膜應(yīng)有明顯而牢固的標志:
GB/T 13542《電氣絕緣用薄膜)分為以下幾個部分:
一第1部分:定義和一般要求;
一一第2部分:試驗方法;
一第3部分:電容器用雙軸定向聚丙烯薄聵;
一第4部分:聚酯薄膜
.…。
本部分為GB/T13542的第1部分。
本部分修改采用IEC60674-1:1980《電氣用塑料薄膜第1部分:定義和一般要求(英文版)。
本部分與IEC60674-1的主要技術(shù)差異如下:
1)增加了“規(guī)范性引用文件"章;
2)增加了“檢驗規(guī)則"章。
本部分代替GB/T 13542-1992《電氣用塑料薄膜一般要求》,
本部分與GB/T 13542-1992相比主要差異如下:
1)將“引用標準"改為“規(guī)范性引用文件"
2)定義3.1.1中“偏斜"改為“偏移/弧形"。
本部分由中國電器工業(yè)協(xié)會提出。
本部分由全國絕緣材料標準化技術(shù)委員會(SAC/TC51)歸口,
本都分起草單位:桂林電器科學(xué)研究所,東材科技集團股份有限公司。
本部分主要起草人:王先修、趙平。
本部分所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為:
GB/T13542-1992。
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