雙電測電四探針電阻率/方阻測試儀采用4.3吋大液晶屏幕顯示，同時顯示液晶顯示：電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度、電導(dǎo)率，配置不同的測試治具可以滿足不同材料的測試要求。測試治具可以根據(jù)產(chǎn)品及測試項目要求選購.

雙電測電四探針電阻率/方阻測試儀是運用直線或方形四探針雙位測量。該儀器設(shè)計符合單晶硅物理測試方法國家標(biāo)準并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準。利用電流探針、電壓探針的變換，進行兩次電測量，對數(shù)據(jù)進行雙電測分析，自動消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機械游移等因素對測量結(jié)果的影響，它與單電測直線或方形四探針相比，大大提高度，特別是適用于斜置式四探針對于微區(qū)的測試。

采用四探針組合雙電測量方法，液晶顯示，自動測量，自動量程，自動系數(shù)補償.高集成電路系統(tǒng)、恒流輸出；選配：pc軟件進行數(shù)據(jù)管理和處理.

雙電測數(shù)字式四探針測試儀是運用直線或方形四探針雙位測量。該儀器設(shè)計符合單晶硅物理測試方法國家標(biāo)準并參考美國a.s.t.m標(biāo)準。利用電流探針、電壓探針的變換，進行兩次電測量，對數(shù)據(jù)進行雙電測分析，解決樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機械游移等因素對測量結(jié)果的影響.采用了四探針雙電測組合(亦稱雙位組合)測量新技術(shù),將范德堡測量方法推廣應(yīng)用到直線四探針上,利用電流探針、電壓探針的變換，在計算機控制下進行兩次電測量，能自動消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機械游移等因素對測量結(jié)果的影響。因而每次測量不必知道探針間距、樣品尺寸及探針在樣品表面上的位置。由于每次測量都是對幾何因素的影響進行動態(tài)的自動修正，因此顯著降低了幾何因素影響，從而提高了測量結(jié)果的準確度。所有這些，用目前大量使用的常規(guī)四探針測量方法所生產(chǎn)的儀器是無法實現(xiàn)的。

滿足標(biāo)準：

1.硅片電阻率測量的國際標(biāo)準（ASTM F84）.

2.GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測定方法》.

3.GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法》.

4.GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》.

功能描述

1. 四探針組合雙電測量方法
2. 液晶顯示，自動測量，自動量程，自動系數(shù)補償.
3. 高集成電路系統(tǒng)、恒流輸出.
4. 選配：PC軟件進行數(shù)據(jù)管理和處理.
5. 提供中文或英文兩種語言操作界面選擇
6. 適用范圍：覆蓋膜;導(dǎo)電高分子膜，高、低溫電熱膜;隔熱、防輻射導(dǎo)電窗膜 導(dǎo)電(屏蔽)布、裝飾膜、裝飾紙;金屬化標(biāo)簽、合金類箔膜;熔煉、燒結(jié)、濺射、涂覆、涂布層，電阻式、電容式觸屏薄膜;電極涂料，其他半導(dǎo)體材料、薄膜材料方阻測試
7. 硅晶塊、晶片電阻率及擴散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻  半導(dǎo)體材料/晶圓、太陽能電池、電子元器件，導(dǎo)電薄膜（ITO導(dǎo)電膜玻璃等），金屬膜，導(dǎo)電漆膜，蒸發(fā)鋁膜，PCB銅箔膜，
8. EMI涂層等物質(zhì)的薄層電阻與電阻率  導(dǎo)電性油漆，導(dǎo)電性糊狀物，導(dǎo)電性塑料，導(dǎo)電性橡膠，導(dǎo)電性薄膜，金屬薄膜，
9. 抗靜電材料， EMI 防護材料，導(dǎo)電性纖維，導(dǎo)電性陶瓷等，

技術(shù)參數(shù)

1、電阻率： 1×10-6～2×106Ω.cm、

電   阻：1×10-5～2×105Ω

電導(dǎo)率：5×10-6～1×108ms/cm

分辨率：  小1μΩ
測量誤差±5%
2、測量電壓量程： 2mV   20mV  200mV 2V 
   測量精度±（0.1%讀數(shù)）

分辨率：  0.1uV  1uV  10uV  100uV
3、⑴電流輸出：直流電流 0～1000mA 連續(xù)可調(diào)，由交流電源供電。
   ⑵量程：1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，1000mA, 
   ⑶誤差：±0.2%讀數(shù)±2字

4. 主機外形尺寸：330mm*340mm*120mm

5、顯示方式：液晶顯示6、電源：220±10% 50HZ/60HZ

7、標(biāo)配：測試平臺一套、主機一套、電源線數(shù)據(jù)線一套。