300C低電阻及電阻率測試儀采用四探針雙電測量方法，適用于生產企業(yè)、高等院校、科研部門，是檢驗和分析導體材料和半導體材料質量的一種重要的工具。本儀器配置各類測量裝置可以測試不同材料。液晶顯示，無需人工計算，并帶有溫度補償功能，電阻率單位自動選擇，儀器自動測量并根據測試結果自動轉換量程，無需人工多次和重復設置。采用高精度AD芯片控制，恒流輸出，結構合理、質量輕便，運輸安全、使用方便；選配：配備軟件可以由電腦操控，并保存和打印數據，自動生成報表；本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示，同時顯示液晶顯示：電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導率，配置不同的測試治具可以滿足不同材料的測試要求。測試治具可以根據產品及測試項目要求選購.

雙電測數字式四探針測試儀是運用直線或方形四探針雙位測量。該儀器設計符合單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國 A.S.T.M 標準。利用電流探針、電壓探針的變換，進行兩次電測量，對數據進行雙電測分析，自動消除樣品幾何尺寸、邊界效應以及探針不等距和機械游移等因素對測量結果的影響，它與單電測直線或方形四探針相比，大大提高精確度，特別是適用于斜置式四探針對于微區(qū)的測試。

300C低電阻及電阻率測試儀滿足標準：

1.硅片電阻率測量的國際標準（ASTM F84）.

2.GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測定方法》.

3.GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法》.

4.GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》.

參數資料1.方塊電阻范圍：10-6～2×106Ω/□2.電阻率范圍：10-7～2×103Ω-cm3.測試電流范圍：0.1μA，1μA，10μA，100µA.4.電流精度：±0.1%讀數5.電阻精度：≤0.3%6.顯示讀數：液晶顯示：電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導率.7.測試方式: 雙電測量8.工作電源:輸入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗 lt;30W9.整機不確定性誤差:≤4%（標準樣片結果）10.選購功能: 選購1.pc軟件； 2.方形探頭； 3.直線形探頭； 4.測試平臺11.測試探頭：  探針間距選購：1mm；2mm；3mm三種規(guī)格; 探針材質選購：碳化鎢針;白鋼針；鍍金磷銅半球形針

參數parameters

1.電阻率/ resistivity： 10-8～2×106ω-cm

2.電阻/ resistance： 10-8～2×106ω

3.電導率/ conductivity：5 ×10-6～108s/cm

4.分辨率：0.1μω/resolution: minimum 0.1μω

5.測量誤差±（0.05%讀數±5字）/ accuracy ±0.05%

6.測量電壓量程/ measuring voltage range：2mv 20mv 200mv 2v

7.測量精度±（0.1%讀數）/ measuring accuracy ±0.1%

8.分辨率/resolution： 0.1uv 1uv 10uv 100uv

9.電流輸出：直流電流0～1000ma可調，輸入220v。

current output: dc current 0～1000ma adjustable. input 220v.

10.量程/range：1μa，10μa，100μa，1ma，10ma，1000ma.

11.誤差：±0.2%讀數±2字/accuracy ±0.2%

12.測試治具：電纜導電層直徑：10mm-40mm

該儀器設計符合單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國 A.S.T.M標準。利用電流探針、電壓探針的變換，進行兩次電測量，對數據進行雙電測分析，自動消除樣品幾何尺寸、邊界效應以及探針不等距和機械游移等因素對測量結果的影響，它與單電測直線或方形四探針相比，大大提高精確度，特別是適用于斜置式四探針對于微區(qū)的測試。廣泛用于：覆蓋膜;導電高分子膜，高、低溫電熱膜;隔熱、防輻射導電窗膜 導電(屏蔽)布、裝飾膜、裝飾紙;金屬化標簽、合金類箔膜;熔煉、燒結、濺射、涂覆、涂布層，電阻式、電容式觸屏薄膜;電極涂料，其他半導體材料、薄膜材料方阻測試硅晶塊、晶片電阻率及擴散層、外延層、ITO導電箔膜、導電橡膠等材料方塊電阻  半導體材料/晶圓、太陽能電池、電子元器件，導電薄膜（ITO導電膜玻璃等），金屬膜，導電漆膜，蒸發(fā)鋁膜，PCB銅箔膜，EMI涂層等物質的薄層電阻與電阻率 導電性油漆，導電性糊狀物，導電性塑料，導電性橡膠，導電性薄膜，金屬薄膜，抗靜電材料， EMI防護材料，導電性纖維，導電性陶瓷等